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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成盖帽层，所述盖帽层中含有氧离子；在所述盖帽层上形成含有铝离子的吸附层；对所述吸附层、盖帽层以及高k栅介质层进行退火处理，所述退火处理适于使所述盖...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。