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一种MRAM芯片及其自刷新方法技术
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文档序号:16886537
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本发明提供一种MRAM芯片,包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列,每个阵列与控制电路连接,控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制,MRAM芯片还包括自刷新控制器、定时器以及用于存储上次刷新位置的非易失存储器...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。
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