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本发明公开了一种降低Ni/n‑Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法，通过对制备的Ni/n‑Si光阳极进行一个简单的快速热处理过程，减少了存在于Ni/n‑Si界面之间的界面态，解除了这些界面态引起的费米能级钉扎效应，提高了Ni/n‑Si所形...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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