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本发明公开了一种复合电流扩展层及其制作方法，属一种电流扩展层的制作方法，所述电流扩展层包括由下至上设置的底层隔离层、GaN电流扩展层、异质结隔离层与AlGaN势垒层；通过多层复合而成的电流扩展层，异质结高迁移率二维电子或空穴气电流扩展层，利...
该专利属于西安中为光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安中为光电科技有限公司授权不得商用。

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