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本发明提供了一种磁性隧道结顶电极连接孔的形成方法，步骤如下：S1.提供包括底电极、第一电介质层、MTJ结构单元，钽顶电极的衬底；步骤S2.采用氮化硅填充衬底剩余部分；S3.磨平氮化硅直到钽顶电极；S4.沉积氧化硅膜层、顶电极连接孔刻蚀阻挡层...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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