温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，所述衬底内具有前层待连接件；形成覆盖所述前层待连接件的第一帽层；形成位于所述第一帽层上的介质叠层；在所述介质叠层和所述第一帽层内形成开口，所述开口底部露出所述前层待连接件；向所述开口内填...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。