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一种高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法技术
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文档序号:16835891
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本发明涉及一种波导及其制作方法,属于光器件领域,具体涉及一种高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法。本发明在铌酸锂光波导芯片进行质子交换前对其下表面进行涂覆保护,使得铌酸锂基片下表面无质子交换发生,这样便可以辅助开槽、制作光栅以及涂覆吸光层等方...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。
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