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本发明涉及一种半导体激光bar条及其制备方法，方法包括：制作GaAs外延片；在P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀出脊型电流注入区和非注入区，并露出部分所述P‑GaAs限制层；制作出光隔离区；形成将所述P‑GaAs欧姆接触层以及露出的部分所述P‑G...
该专利属于山西飞虹微纳米光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西飞虹微纳米光电科技有限公司授权不得商用。

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