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本发明公开了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法先在工艺片上制作出黑硅，然后通过低温工艺在黑硅表面制作出钝化层；本发明的有益技术效果是：提出了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法可以在低温条件下使黑硅表面钝化，从而避免高温工艺所...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。

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