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本发明公开了一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层；分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层；分别在所述源区对应的氧化...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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