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本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其包括：在衬底基板上依次制备形成多晶硅有源层和覆盖所述多晶硅有源层的栅极绝缘层；应用离子植入工艺，在所述多晶硅有源层的朝向所述栅极绝缘层的表面上注入氮离子，形成离子注入层；应用高温退火工艺，使...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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