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本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制作方法。一种用于制作发光器件的方法包括如下步骤：在其中已经使用了含Mg原料的反应器中在衬底上形成包含In的层；以及在包含In的层上形成包括氮化物半导体的有源层。...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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