下载氧化镓场效应晶体管的制备方法的技术资料

文档序号:16781904

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种氧化镓场效应晶体管的制备方法,涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤:去除氧化镓外延片无源区域对应的氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层;所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、掺杂氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层;去除所述...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。