温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及形成垂直晶体管器件的方法，其揭示一示范方法，主要包括：在一衬底上面形成有一第一高度的一初始垂直定向通道半导体结构，形成毗邻该初始垂直定向通道半导体结构的一牺牲间隔体结构，以及于该牺牲间隔体在原位下，进行至少一工艺操作以界定该器件对...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。