温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，包含：第1步，对覆盖有二氧化硅层的硅基板进行预热处理；第2步，对预热过的硅基板进行第一次等离子体处理；第3步，进行第一次非晶硅成膜；第4步，进行第二次等离子体处理；第5步，进行第二次非晶硅成膜。本发明所述...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。