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本发明公开了一种用于提升音叉晶振离子蚀刻速率的工艺，包括初次镀银、粗调、二次镀银、拆片、补片、上胶、干燥和精调。本发明中通过二次镀银的方式将晶片上的粗调面恢复一致，产品可离子蚀刻的面积可达100%，有效的提高了精调时离子蚀刻的速度，而且由于...
该专利属于随州泰华电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过随州泰华电子科技有限公司授权不得商用。

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