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本发明公开了双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源,包括衬底、双曲超材料和量子点,双曲超材料的表面或内部有光栅微结构;双曲超材料是由介质薄膜和金属薄膜/介质薄膜和类金属薄膜交替形成一维周期性结构;量子点置于一维周期性结构内部或在双曲超材...该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。
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本发明公开了双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源,包括衬底、双曲超材料和量子点,双曲超材料的表面或内部有光栅微结构;双曲超材料是由介质薄膜和金属薄膜/介质薄膜和类金属薄膜交替形成一维周期性结构;量子点置于一维周期性结构内部或在双曲超材...