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一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交...
该专利属于马克西姆综合产品公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克西姆综合产品公司授权不得商用。

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