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一种具有阻容二极管辅助触发SCR结构的ESD防护器件，可用于提高芯片的抗ESD能力。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第三P+注入区、第一多晶硅栅及其覆...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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