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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供衬底结构，其包括衬底以及形成在衬底上的层间电介质层，层间电介质层包括用于半导体装置的多个沟槽，该多个沟槽在其底部处露出衬底的部分表面，该多个沟槽至少包括分别用于在其中形成第一晶体管、第...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。