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本发明公开一种电阻式内存，用于解决现有技术中电阻式内存的可靠度不佳的问题，本发明的电阻式内存包括：一个变阻层；及两个电极层，分别结合于该变阻层，各电极层设有一个掺杂区域，该掺杂区域含有重金属元素。借此，可确实解决上述问题。...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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