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本发明涉及SOI存储器件，提供一种制造半导体器件的方法，包括提供包含半导体本体衬底、形成在半导体本体衬底上的掩埋氧化物层和形成在掩埋氧化物层上的半导体层的绝缘体上硅衬底；和在SOI衬底上形成存储器件，其包括从所述半导体层的一部分形成浮置栅极...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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