温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在所描述的实例中，一种形成接合垫的方法(100)包含提供(101)衬底，所述衬底包含形成在其上的至少一个集成电路IC装置，所述IC装置具有可氧化的最上层金属互连层，所述最上层金属互连层提供耦合到所述IC装置上的电路节点的多个接合垫。所述多个...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。