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使用串联磁性隧道结的多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM制造技术
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下载使用串联磁性隧道结的多位自旋转移矩磁阻随机存取存储器STT‑MRAM的技术资料
文档序号:16708307
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一种设备包括具有第一读取余裕的第一磁性隧道结(MTJ)元件以及具有第二读取余裕的第二MTJ元件。第一读取余裕大于第二读取余裕的两倍。该设备还包括耦合在第一MTJ元件与第二MTJ元件之间的存取晶体管。存取晶体管的栅极耦合至字线。第一MTJ元件...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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