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一种基于硅纳米膜的柔性金属型双底栅晶体管及制造方法，晶体管包括在柔性介电层的上表面设置由硅纳米薄膜构成的第一至第三N型掺杂区和第一至第二未掺杂区，第一N型掺杂区电连接设置在柔性介电层上的第一源极，第三N型掺杂区电连接柔性介电层上的第二源极，...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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