温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件单元、半导体器件、电路结构单元、电路结构和电路系统。半导体器件单元包括：衬底；位于所述衬底中的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第三掺杂区；隔离结构，其用于...
该专利属于深圳市环宇鼎鑫科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市环宇鼎鑫科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。