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本发明涉及一种场效应晶体管，其包括半导体材料的堆叠(Emp)，该堆叠的上表面(14)被包括两个子层的钝化层(16)覆盖，两个子层为：第一子层(16a)，其在第二低强度区域(Z2)上延伸，所述第一子层(16a)包括具有电击穿电场Ecl1的第一...该专利属于泰勒斯公司;原子能和能源替代品委员会所有，仅供学习研究参考，未经过泰勒斯公司;原子能和能源替代品委员会授权不得商用。
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本发明涉及一种场效应晶体管，其包括半导体材料的堆叠(Emp)，该堆叠的上表面(14)被包括两个子层的钝化层(16)覆盖，两个子层为：第一子层(16a)，其在第二低强度区域(Z2)上延伸，所述第一子层(16a)包括具有电击穿电场Ecl1的第一...