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可用于制造硫属化物半导体的含碱金属的前体膜的高速溅射沉积制造技术
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下载可用于制造硫属化物半导体的含碱金属的前体膜的高速溅射沉积的技术资料
文档序号:16670537
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本发明提供了溅射沉积包含碱金属化合物的膜的方法。溅射包含一种或多种碱金属化合物和至少一种金属组分的至少一个靶以形成一个或多个相应的溅射膜。所述至少一个靶中的所述碱金属化合物与所述至少一种金属组分的原子比在15∶85至85∶15的范围内。将掺...
该专利属于纽升股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过纽升股份有限公司授权不得商用。
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