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本发明公开了一种InGaAs阵列探测器，包括硅读出电路芯片、打底金属层、In柱、填充胶、InP衬底层、InGaAs材料层、偏振金属光栅、微透镜和InGaAs光敏元芯片；还公开了其制备方法，本发明的减薄InP衬底层可缩短偏振片与探测器光敏区之...该专利属于华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）授权不得商用。