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本发明提供了一种硅锗黑磷烯PIN异质结太阳能电池的制备方法。该方法包括：清洗N型硅基底，在N型硅基底中制备N型硅纳米线阵列，然后在N型硅纳米线阵列上依次形成本征非晶锗层、P型黑磷烯层以及透明导电层，最后在N型硅基底的背面形成背电极并在透明导...
该专利属于卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司授权不得商用。

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