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本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制造方法，其中，量子阱红外探测器包括衬底、掺杂衬底、量子阱单元、谐振腔、上电极、上电极连接层和下电极，所述上电极覆盖在所述衬底的上方，所述谐振腔位于所述上电极和量子阱单元的中间，且高度为入射...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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