温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法，包括以下步骤：在硅单晶衬底上依次形成AlN层、掺杂Fe离子的AlGaN层、掺杂碳离子的GaN外延层、非掺杂的GaN外延层、非掺杂的AlGaN外延层,以及GaN帽层；形成第一接触孔掩模开孔，并在第...
该专利属于香港商莫斯飞特半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过香港商莫斯飞特半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。