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本发明公开了一种低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法,具体实施步骤包括在衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、插入层、势垒层;选择生长掩模层的制备;外沟道选择生长掩模层的刻蚀;外沟道层的选择外延生长;选择生长掩模的去除;选择生长掩模层...该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法,具体实施步骤包括在衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、插入层、势垒层;选择生长掩模层的制备;外沟道选择生长掩模层的刻蚀;外沟道层的选择外延生长;选择生长掩模的去除;选择生长掩模层...