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本发明公开了超级电容含浸方法，包括以下步骤，1)将数个阵列排序的芯包放置在含浸炉内的伸缩架中；2)将含浸物质放置在伸缩架的下方；3)密封含浸炉，并通过真空泵将含浸炉的真空度降至0.1～1×10...
该专利属于李勇;张中方;陈章盛所有，仅供学习研究参考，未经过李勇;张中方;陈章盛授权不得商用。

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