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本发明涉及一种传感器芯片及其制备方法，属于表面等离子体共振传感器芯片设计制备技术领域。所述芯片是由玻璃基片、金属膜、自组装膜以及金属氧化物与聚合物的复合薄膜由下至上依次排列而成的复合结构，采用聚合物包埋的方法将纳米金属氧化物成功的固定在传感...该专利属于中国人民解放军92232部队;北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军92232部队;北京理工大学授权不得商用。