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半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法技术
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文档序号:1662272
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本发明涉及一种高品质半导体发光材料ZnO纳米囊的制备方法。本发明选取醋酸锌粉末到双氧水中搅拌溶解,调节其pH值约为8~11,放入密闭高压反应釜中,在190~200℃及自身压力下水热反应12~18小时,晶化产物经抽滤后用去离子水洗涤,干燥,即...
该专利属于扬州大学所有,仅供学习研究参考,未经过扬州大学授权不得商用。
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