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本发明公开了一种钽酸锂晶片的抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的钽酸锂晶片，用粒度为5～20um的磨料研磨，获得表面具有粗糙结构的钽酸锂研磨片；b)将钽酸锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合酸的密闭容器中直接进行化学腐蚀，使钽酸锂晶片的粗糙度＜...
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