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本发明公开了一种脱毒甘薯三膜覆盖育苗方法，是在冀中南地区，采用地膜、结合拱棚与日光温室的三膜覆盖条件进行脱毒甘薯的育苗，获得的育苗方法，从日光温室内苗床的制作及拱棚膜和地膜的覆盖入手，结合脱毒甘薯排薯上床方式、棚内温度、湿度等重要条件的管理...
该专利属于石家庄市农林科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过石家庄市农林科学研究院授权不得商用。

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