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本发明涉及LED技术领域，特别是涉及一种LED芯片及提高LED芯片发光效率的方法，所述提高LED芯片发光效率的方法，包括以下步骤：A、强轰击刻蚀步骤和弱刻蚀步骤，所述强轰击刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子的自由程小于所述常规刻蚀步骤中刻蚀气体中粒子...
该专利属于成都新柯力化工科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都新柯力化工科技有限公司授权不得商用。

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