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本发明提供一种提高紫光LED发光效率的外延结构，外延结构从下向上依次包括：AlN衬底、高温UGaN层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、有源区多量子阱结构MQW、In/Mg掺EBL层和P型GaN层；所述In/Mg掺EBL层包括一个[AlxG...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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