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本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底、缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、有源层和p型GaN层，应力释放层包括交替的InxGa(1‑x)N层和n型AlyGa(1‑y)N层，由于靠近...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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