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本发明公开了一种磷化铟扩散方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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