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本发明公开了一种ＺｎＯ量子点的制备方法。它首先对衬底进行表面处理，然后在去离子水中用提拉法形成单层自组装的纳米球，作为制备ＺｎＯ量子点所用的模板；接着在２５～１００℃之间、真空度为１０↑［－４］～１０↑［－６］Ｔｏｒｒ的条件下，通过电子束蒸...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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