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本发明公开了一种半导体热电堆红外探测器及制造方法，包括单晶硅衬底，垂直于单晶硅衬底下表面并向上垂直延伸的若干个柱状的热电偶，所述热电偶包括由第一材料构成的第一实心柱和由第二材料构成的第二实心柱，第一实心柱和第二实心柱平行延伸，第一实心柱和第...
该专利属于杭州立昂微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州立昂微电子股份有限公司授权不得商用。

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