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本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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