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本发明涉及一种制备高纯硅的硅电解槽及其硅的制备方法。包括设在同一层面的阴极预热室、中间操作室和晶体硅冷却室三个操作室，在相邻的两个操作室之间设有折叠门，在中间操作室下方设有与其连通的电解反应室。在电解反应室内设有熔融电解质，在熔融电解质内设...
该专利属于沈阳铝镁设计研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳铝镁设计研究院有限公司授权不得商用。

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