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本发明涉及一种WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料及其制备方法；属于层状合金材料复合结构制备技术领域。所述p‑n结纳米材料以WSe2层作为底层，在所述底层上堆叠有SnS2层；得到所述WSe2‑SnS2 p‑n结纳米材料。所设计的材料中，堆叠...
该专利属于黄山博蓝特光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过黄山博蓝特光电技术有限公司授权不得商用。

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