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本发明公开了一种SiC基GaN晶体的深孔刻蚀方法，主要包括刻蚀前处理、刻出预刻孔，对SiC衬底层在第一刻蚀参数下进行第一干法刻蚀，对GaN基层在第二刻蚀参数下进行第二干法刻蚀，经刻蚀后最终形成背孔，此刻蚀方法在大尺寸特别是六英寸SiC基Ga...
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