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一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法，涉及半导体的技术领域。本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11‑22)的GaN层包...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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