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本发明提供一种制造具有改善性能的LED器件的方法，包括：1)准备未做表面钝化处理的LED芯片；2)在步骤1)所准备的LED芯片的表面沉积钝化层；3)在所述钝化层上涂覆光刻胶，然后在所涂覆的光刻胶上制作纳米点阵；4)将步骤3)所得的光刻胶作为...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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